图为与图对应的温度传感器俯视图;图为另一实施例中温度传感器侧视图;图为与图对应的温度传感器俯视图。具体实施方式为了便于理解,下面将参照相关附图对进行更的描述。附图中给出了的实施例。但是,可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地。提供这些实施例的目的是使对的公开内容更加透彻。除非另有定义。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括:一般经营项目是:电子产品及其配件的技术开发与销售;国内贸易等。本公司主营推广销售AD(亚德诺),LINEAR。凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际品牌集成电路。产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。本公司一直秉承优势服务,诚信合作的原则,以现代化管理以及优势的渠道价格、良好的信誉与广大客户建立了长期友好的合作关系,为广大厂商和市场客户提供优势的产品服务。本文所使用的所有的技术和科学术语与属于的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。车内温度传感器主要安装在汽车车厢内的通风道中,一般有1-2个。常州模拟温度传感器参数
需要在对应温度传感器引出端子处开设通孔,通过通孔可引出输出端子。在本实施例中,是在外侧多晶硅端部的金属铝上方的钝化层开设通孔。钝化层可为氧化硅层或氮化硅层,也可为叠设的氧化硅层和氮化硅层。上述温度传感器制备方法,可以得到氧化硅薄膜,且氧化硅薄膜与硅通过空腔隔离,空腔下方的硅不会影响上方氧化硅薄膜的隔离效果,因此无需通过深槽刻蚀工艺将多余的硅刻蚀掉,简化了制备过程。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括:一般经营项目是:电子产品及其配件的技术开发与销售;国内贸易等。本公司主营推广销售AD(亚德诺),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际有名品牌集成电路。产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。节约制备时间,节省了制备成本。由于氧化硅薄膜导热率低,将测温单元制备在氧化硅薄膜上,具有较好的测温效果,使温度传感器性能更加稳定。本发明还涉及一种温度传感器,包括:基底,基底包括硅片和在硅片上形成的氧化硅薄膜,硅片和氧化硅薄膜之间形成有空腔;和测温单元,测温单元形成于所述空腔上方的氧化硅薄膜上,所述测温单元用于感测环境温度。深圳射频温度传感器哪家划算深圳市美信美科技有限公司,只做靠谱的原装进口温度传感器。
深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括:一般经营项目是:电子产品及其配件的技术开发与销售;国内贸易等。本公司主营推广销售AD(亚德诺),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际有名品牌集成电路。产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。本发明涉及温度传感器领域,特别是涉及一种温度传感器制备方法及温度传感器。背景技术:温度传感器包括测温单元和承载该测温单元的基底。温度传感器通常以导热率低的材料做基底,如在二氧化硅上淀积测温材料形成温度传感器。在工艺制程中,通过氧化硅片以在硅片表面生产一层二氧化硅,其中,二氧化硅的导热率较低,但是硅的导热率较高,为避免通过基底下部的硅导热,通常还需通过深槽刻蚀的方式对氧化硅层背面的硅进行刻蚀,如通过氢氧化钾的刻蚀液进行湿法刻蚀,也可用深反应离子刻蚀(deepreactiveionetching)工艺进行干法刻蚀。无论是湿法刻蚀还是干法刻蚀,其工艺时间都会较长且成本较高。技术实现要素:基于此,有必要针对传统技术中温度传感器以二氧化硅为基底时获取基底的工艺时间较长且成本较高的问题,提出了一种新的温度传感器制备方法。
本公司主营推广销售AD(亚德诺),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际有名品牌集成电路。产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。通过热氧化工艺氧化空腔上部的硅片以形成氧化硅薄膜(如图c所示)。在℃~℃的高温环境中,通过外部供给氧气或者水蒸气使之与硅发生化学反应,可以在空腔上方得到一层热生长的氧化层。由于当氧化层达到一定厚度时,氧化反应几乎停止,因此当难以通过一次氧化工艺将空腔上方的硅全部氧化成氧化硅时,需要通过多次氧化步骤实现将空腔上方的硅全部氧化,具体为,进行次热氧化生成一层氧化硅薄膜后,空腔上方为残留的未氧化的硅以及在硅上生成的氧化硅薄膜,通过刻蚀工艺去除上方的氧化硅薄膜,保留空腔上方的硅,此时硅的厚度减小,继续通过上述热氧化、刻蚀和热氧化的循环工艺逐渐减小空腔上方硅的厚度,直至后一次热氧化后空腔上方的硅全部生成氧化硅薄膜,由此实现上层氧化硅薄膜与下层硅通过空腔隔离。此时,温度传感器的基作完成。在一实施例中,在得到上述氧化硅薄膜后还可在氧化硅薄膜上形成氮化硅薄膜或者聚酰亚胺薄膜,由于氧化硅内部存在较大的应力,氧化硅薄膜容易断裂。温度传感器厂家就找美信美。
图为另一实施例中温度传感器侧视图;图为与图对应的温度传感器俯视图。具体实施方式为了便于理解本发明,下面将参照相关附图对本发明进行更的描述。附图中给出了本发明的优先实施例。但是,本发明可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括:一般经营项目是:电子产品及其配件的技术开发与销售;国内贸易等。本公司主营推广销售AD(亚德诺),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等国际有名品牌集成电路。产品广泛应用于:汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻。除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。本申请提供一种温度传感器的制备方法,如图所示,其步骤包括:步骤s:在硅片上形成若干沟槽。结合图a所示,获取一硅晶片。温度传感器在空调中的应用是非常常见的。江苏智诚温度传感器报价
进气温度传感器是一种常用的车用温度传感器。常州模拟温度传感器参数
涉及温度传感器领域,特别是涉及一种温度传感器制备方法及温度传感器。背景技术:温度传感器包括测温单元和承载该测温单元的基底。温度传感器通常以导热率低的材料做基底,如在二氧化硅上淀积测温材料形成温度传感器。在工艺制程中,通过氧化硅片以在硅片表面生产一层二氧化硅,其中,二氧化硅的导热率较低,但是硅的导热率较高,为避免通过基底下部的硅导热,通常还需通过深槽刻蚀的方式对氧化硅层背面的硅进行刻蚀,如通过氢氧化钾的刻蚀液进行湿法刻蚀,也可用深反应离子刻蚀(deepreactiveionetching)工艺进行干法刻蚀。无论是湿法刻蚀还是干法刻蚀,其工艺时间都会较长且成本较高。技术实现要素:基于此,有必要针对传统技术中温度传感器以二氧化硅为基底时获取基底的工艺时间较长且成本较高的问题,提出了一种新的温度传感器制备方法。一种温度传感器制备方法,包括:在硅片形成若干沟槽;热退火使所述若干沟槽变形后相互连通形成一空腔,且所述硅片在所述空腔上方连接起来,将所述空腔封闭;氧化所述空腔上部的硅片得到氧化硅薄膜;在所述氧化硅薄膜上形成测温单元,所述测温单元用于感测环境温度。上述温度传感器制备方法,先通过刻蚀在硅片上形成若干沟槽。常州模拟温度传感器参数